[16a-2D-5~12] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[16a-2D-12] IV 族系化合物混晶単層膜の構造および電子状態に関する理論的検討

〇秋山 亨¹、中村 浩次¹、伊藤 智徳¹ (1.三重大院工)

キーワード：単層膜

近年、特異な電子状態をもつ系としてグラフェン等のハニカム構造を持つ2次元ナノ構造が注目されており、さらに単層シリセン、ジァーマニン、スタニン等のIV族元素で構成される二次元構造の電子デバイスへの適用も注目されている。本研究ではIV族系化合物混晶で形成される単層膜としてSi_xGe_1-x, Ge_xSn_1-xおよびSi_xSn_1-xを対象として、これらの構造安定性および電子状態を密度汎関数理論にもとづく電子状態計算により検討する。