[16a-2Q-10~13] 8.3 プラズマ成膜・表面処理

[16a-2Q-10] 高圧水素プラズマ化学輸送法によるシリコンナノワイヤ形成における金属触媒の影響

〇竹本 啓輝¹、垣内 弘章¹、安武 潔¹、大参 宏昌¹ (1.阪大院工)

キーワード：シリコンナノワイヤ、プラズマ

本研究では，SiH₄等の危険な毒性ガスを用いずに半導体薄膜の形成が可能な大気圧プラズマ化学輸送法を利用して，任意に直径や成長方向が制御されたSiナノワイヤの形成を目指している．今回は，Siナノワイヤの成長の際，触媒金属の違いがSiナノワイヤ成長に与える影響を調査し，Siナノワイヤ成長を左右する重要因子について考察した．その結果を報告する．