[16a-4C-1~11] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[16a-4C-4] 自立GaN基板上p-n接合ダイオードの初期耐圧不良解析(1)

〇堀切 文正¹、成田 好伸¹、吉田 丈洋¹、太田 博²、三島 友義²、中村 徹² (1.サイオクス、2.法政大理工)

キーワード：GaN、ダイオード、不良解析

本研究では、デバイスの基本構造であるp-n接合ダイオードを自立GaN基板上にMOVPE法により作製し、初期耐圧不良の原因を調査した。GaNエピ中にはまれにピットが存在し、ピットが電極内に含まれる素子は逆方向耐圧が著しく低下する事が確認できた。ピット底部の結晶は、酸素濃度が高くn型ショットキー接合を形成している事が原因と考えられる。これらの結果は、初期耐圧不良の低減に有益な指針を与えるものである。