[16a-4C-1~11] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[16a-4C-6] 4.7 kV耐圧を有する自立GaN基板上p-n接合ダイオード

太田 博¹、金田 直樹²、堀切 文正³、成田 好伸³、吉田 丈洋³、〇三島 友義¹、中村 徹¹ (1.法政大理工、2.クオンタムスプレッド、3.サイオクス)

キーワード：GaN、ダイオード、高耐圧

GaN自立基板上縦型p-nダイオードにおいて、n-GaNドリフト層のドナー濃度をステップ状に変えた3層構造とすることで、世界最高となる4.7 kVの耐圧を達成した。