[16a-4C-1~11] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [16a-4C-8] MOHVPE法により成長したGaN膜中の光容量測定

〇出来 真斗¹、叶 正¹、本田 善央¹、天野 浩^1,2 (1.名古屋大、2.赤﨑記念研究センター)

キーワード：窒化ガリウム、光容量分光法

現在、MOCVD 法を用いたGaN エピタキシャル膜において、未分解のMO 原料起因の炭素がエピ膜中に混入し、深い捕獲準位を形成することでGaNデバイスの電流コラプスを引き起こすことが問題となっている。本研究では、Metal Organic Hydrogen Chloride Vapor Phase Epitaxy (MOHVPE)法を用いて、塩基によるMO 原料の分解促進を試みた。炭素起因の深い捕獲準位の低減効果は、光容量分光法を用いてGaN エピ膜中における欠陥密度を測定することにより評価した。