[16a-PA2-1~60] 17 ナノカーボン（ポスター）

[16a-PA2-20] 第一原理シミュレーションに基づいたSiC表面上のSi熱脱離グラフェン成長機構

〇山崎 隆浩^1,4、小野 裕己^2,4、奈良 純^1,4、大野 隆央^1,3,4 (1.物材機構、2.高度情報、3.東大生研、4.高効率電デバコンソ)

キーワード：グラフェン、シリコン熱脱離、炭素鎖

4H-SiC(0001)テラス面に(11-2n)のファセットを露出させた系、およびファセットのみの系をつくり、ここからSiを抜いたあと有限温度の第一原理分子動力学シミュレーションを行った。Siの集団的脱離後、残されたC原子はファセット上で炭素鎖構造を作り、これらが絡み合って員環構造を形成したり壊れたりするが、臨界核サイズを超えたあとは、ここに炭素鎖がまとわりつくように吸収され成長していく。