[16a-PA2-1~60] 17 ナノカーボン（ポスター）

[16a-PA2-32] 低温バッファー層を用いたCNW-FETのノイズ解析

〇河原 敏男¹、川際 智聖¹、中川 幸紀¹、大野 恭秀²、前橋 兼三³、松本 和彦⁴、岡本 一将⁵、宇都宮 里佐⁶、松葉 晃明⁶、吉村 雅満⁷、松岡 佑樹⁷ (1.中部大工、2.徳島大、3.東京農工大、4.阪大産研、5.北大院工、6.日新電機、7.豊田工大工)

キーワード：ナノカーボン、電界効果トランジスタ、低温バッファー

カーボンナノチューブやグラフェンを始めとするナノカーボン材料は、その構造的・電気的に特異な特性を活かしてナノデバイスへの応用が期待されている。デバイス応用では、電界効果素子(FET) を用いて高感度センサーやノイズ増強型非線形素子等への応用が進められてきた。カーボンナノウォール(CNW)はグラフェンを重ねた構造をもつナノカーボン材料であるが、触媒なしに成長できる利点を活かしたデバイスプロセスの開発が望まれていた。そこで、我々はグラフォエピタキシープロセスを拡張して自己配列化CNWを成長させることでFET構造を作製し、CNWの電子デバイス応用を目指している。本発表では、ノイズ解析を用いて低温(LT)バッファー層等のCNWの成長条件を検討した結果について述べる。