2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[16p-1D-1~14] 15.4 III-V族窒化物結晶

2015年9月16日(水) 13:15 〜 17:00 1D (141+142)

座長:山田 陽一(山口大),上山 智(名城大)

13:15 〜 13:30

[16p-1D-1] InGaN/GaN規則配列ナノコラムにおける局在キャリアダイナミクス

〇金城 一哉1、猪瀬 裕太1、下迫 直樹1、佐藤 光1、江馬 一弘1,2、大音 隆男1、岸野 克巳1,2 (1.上智大学理工学部、2.上智大学ナノテクノロジー研究センター)

キーワード:InGaN