2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[16p-1D-1~14] 15.4 III-V族窒化物結晶

2015年9月16日(水) 13:15 〜 17:00 1D (141+142)

座長:山田 陽一(山口大),上山 智(名城大)

15:45 〜 16:00

[16p-1D-10] 過渡レンズ法を用いたGaN基板と薄膜における非輻射再結合過程の評価

〇(M2)塚本 真大1、石井 良太1、船戸 充1、川上 養一1 (1.京大院工)

キーワード：窒化物半導体、ドループ、過渡レンズ