2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.9 光物性・発光デバイス

[16p-2B-1~9] 13.9 光物性・発光デバイス

2015年9月16日(水) 13:45 〜 16:00 2B (211-2)

座長:小泉 淳(阪大)

15:30 〜 15:45

[16p-2B-8] Ba3Si6O12N2:Eu2+蛍光体の二波長励起PL測定-BGE強度依存性-

〇高塚 洋右1、李 廷廷1、福田 武司1、本多 善太郎1、鎌田 憲彦1、来島 友幸2 (1.埼玉大学、2.三菱化学)

キーワード:蛍光体、フォトルミネッセンス

Ba3Si6O12N2:Eu2+蛍光体は青色LED励起が可能で高効率なため、照明用の蛍光体として有望である。さらなる高効率・高信頼化のため、試料内に潜む非発光再結合(NRR)準位を非接触で検出できる二波長励起フォトルミネッセンス法により測定を行った。バンドギャップよりも高エネルギーの励起光に加えて低エネルギーの励起光を照射するとPL強度は増加した。それらは二成分に分離でき、それぞれNRR準位、トラップ準位の影響が支配的であることが明らかとなった。