[16p-2D-1~14] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[16p-2D-14] 大規模半導体デバイスの領域分割解析に向けた境界条件交換法の検討

〇松沢 一也¹、阿部 真利¹、小田 嘉則¹、小町 潤¹、伊藤 浩之¹、鍾 菁廣²、小田中 紳二²、越本 浩央³、池上 努³、福田 浩一³ (1.STARC、2.大阪大学、3.産総研)

キーワード：半導体、TCAD、シミュレーション

TCADの応用範囲を広げるため、大規模構造の計算技術を検討している。計算時間とメモリの問題を解消するために、１コアで計算できるサイズに構造を分割する。その際、分割面の境界条件が、収束性に大きく影響する。本研究では、分割面で境界条件を交換する方法を検討した結果を示す。