[16p-2E-1~9] 3.13 半導体光デバイス

[16p-2E-7] p変調ドープInAs/InPダブルキャップ量子ドット構造のドーピング濃度依存性

〇(M2)鋤柄 俊樹¹、山元 雄太¹、西山 哲央¹、下村 和彦¹ (1.上智大理工)

キーワード：量子ドット、p変調ドープ