[16p-2G-1~11] 3.12 Nanoscale optical science and near-field optics

△ [16p-2G-5] The introduction of two-level two-state model for GaP LED fabricated by dressed-photon-phonon assisted annealing

〇(DC)JunHyoung Kim¹, Tadashi Kawazoe¹, Motoichi Ohtsu¹ (1.Univ. of Tokyo)

Keywords:dressed photon,gallium phosphide,two level system

ドーパント原子の空間分布を抽象的に表現した２準位２状態モデルを用いることで、ドレスト光子フォノン援用アニールによって室温に近い温度においても固体結晶内部で原子の拡散が起こり得ることが説明できる。本発表では実験による２準位２状態モデルの妥当性の検証を行い、このモデルから導かれるドレスト光子フォノン援用アニールの最適条件が実際の実験結果と良い一致を見せることを発表する。