[16p-4C-1~9] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[16p-4C-8] フィールドプレート電極終端構造を設けたβ-Ga₂O₃ショットキーバリアダイオード

〇佐々木 公平^1,2、東脇 正高²、後藤 健¹、野村 一城³、Quang Tu Thieu⁴、富樫 理恵³、村上 尚³、熊谷 義直³、Bo Monemar^4,5、纐纈 明伯³、倉又 朗人¹、山腰 茂伸¹ (1.タムラ製作所、2.情通機構、3.東京農工大院工、4.東京農工大GIRO、5.Linköping Univ.)

キーワード：酸化ガリウム、ショットキーバリアダイオード、フィールドプレート

β-Ga₂O₃は、材料物性および基板の量産性の点から、次世代の高耐圧低損失パワーデバイス用半導体材料として有用である。今回、フィールドプレート構造を設けたβ-Ga₂O₃ショットキーバリアダイオードを試作した。試作したデバイスは、室温において逆方向耐圧920 Vを記録した。バリアハイトは1.14 eV、順方向の特性オン抵抗は5.0 mΩ•cm²であった。