〇寺地徳之¹、Michl Julia²、Zaiser Sebastian²、Yakobi Ingmar²、Waldherr Gerald²、Dolde Florian²、Neumann Philipp²、Doherty Marcus³、Manson Neil³、Isoya Junichi⁴、Wrachtrup Jorg² (1.物材機構, 2.シュツットガルト大, 3.オーストラリア国立大, 4.筑波大)

16:45 〜 17:00

[11p-C1-13] ダイヤモンド(111)基板における窒素-空孔複合欠陥の配向整列機構

〇宮崎剛英^1,²、宮本良之^1,²、牧野俊晴^1,³、加藤宙光^1,³、山崎聡^1,³、福井貴大^1,⁴、土井悠生^1,⁴、徳田規夫⁵、波多野睦子^1,⁶、水落憲和^1,⁴ (1.JST-CREST, 2.産総研ナノシステム, 3.産総研エネルギー技術, 4.大阪大院基礎工, 5.金沢大理工, 6.東工大院理工)

17:00 〜 17:15

[11p-C1-14] リンドナーによるダイヤモンド NV 中心の電荷状態制御

〇土井悠生¹、福井貴大¹、加藤宙光^2,³、牧野俊晴^2,³、山崎聡^2,³、田嶌俊之¹、森下弘樹¹、三輪真嗣¹、Jelezko Fedor⁴、鈴木義茂¹、水落憲和^1,³ (1.阪大基礎工, 2.産総研, 3.CREST, 4.ウルム大)

17:15 〜 17:30

[11p-C1-15] ダイヤモンドJFETの内部電界測定に向けたNVセンターの形成

〇成木航¹、田原康佐¹、岩崎孝之^1,³、加藤宙光^2,³、牧野俊晴^2,³、小倉政彦^2,³、竹内大輔^2,³、山崎聡^2,³、波多野睦子^1,³ (1.東工大, 2.産総研, 3.CREST)

17:30 〜 17:45

[11p-C1-16] ダイヤモンド選択成長によるNVセンターの集光率向上

〇古山聡子¹、岩崎孝之^1,²、清水麻希^1,²、矢板潤也¹、小寺哲夫^1,²、波多野睦子^1,² (1.東工大, 2.CREST-JST)

17:45 〜 18:00

[11p-C1-17] イオン注入によるCVDダイアモンド膜へのSiVセンターの導入

〇小副川裕太¹、中尾基¹、坪田敏樹¹、長町信治² (1.九州工業大学, 2.株式会社長町サイエンスラボ)

セッション情報

[11p-C1-1~17] 6.2 カーボン系薄膜

[11p-C1-1] プラズマCVDを用いたダイヤモンド単結晶成長における基板温度変化と窒素添加効果

[11p-C1-2] (001)面高濃度ボロンドープダイヤモンド成長のオフ角依存性

△ [11p-C1-3] X線回折法を用いたボロンドープ超伝導ダイヤモンド薄膜の臨界膜厚評価

[11p-C1-4] 高濃度リンドープn型ダイヤモンド薄膜の評価

[11p-C1-5] シンクロトロンX線トポグラフィーによる(110)高温高圧合成ダイヤモンド単結晶の観察

▼ [11p-C1-6] Direct observation and mechanism for enhanced electron emission sites in Pt ion implanted/post-annealed ultra nanocrystalline diamond films

△ [11p-C1-7] 格子状核発生領域を用いたダイヤモンドのヘテロエピタキシャル成長

[11p-C1-8] ダイヤモンド/立方晶窒化ホウ素(c-BN)薄膜ヘテロ構造成長

[11p-C1-9] CVDダイヤモンド表面伝導層のバンドダイヤグラム：表面直下の下向きバンド曲がりの再確認

△ [11p-C1-10] ダイヤモンド基板の表面制御によるアプタマーを用いたATP検出

[11p-C1-11] (111)基板上へのアンサンブルNVセンターを含むダイヤモンド薄膜合成

[11p-C1-12] ホモエピタキシャルダイヤモンド(111)薄膜中に形成されたNVセンターの配向度と極性