10:00 〜 10:15
〇工藤 聡也1、Atthi Nithi1、大見 俊一郎1 (1.東工大)
一般セッション(口頭講演)
13 半導体 » 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション
2015年3月12日(木) 10:00 〜 12:30 A27 (6A-202)
△:奨励賞エントリー
▲:英語発表
▼:奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄:どちらもなし
10:00 〜 10:15
〇工藤 聡也1、Atthi Nithi1、大見 俊一郎1 (1.東工大)
10:15 〜 10:30
〇田嶋 聡美1、林 俊雄1、石川 健治1、関根 誠1、堀 勝1 (1.名大院工)
10:30 〜 10:45
〇高橋 翔平1、安達 定雄1 (1.群馬大学)
10:45 〜 11:00
〇天野 裕士1, 2、小林 大輔2、野平 博司1、廣瀬 和之2 (1.東京都市大工, 2.宇宙研)
11:00 〜 11:15
〇中津 正人1 (1.三重富士通セミコンダクター)
休憩 (11:15 〜 11:30)
11:30 〜 11:45
〇中山 明1、吉川 博道1 (1.京セラ)
11:45 〜 12:00
〇松沢 一也1、板井 翔吾1、小野 瑞城1、石原 貴光1、張 利1 (1.東芝研究開発センター)
12:00 〜 12:15
〇広田 潤1、鷹野 正宗1、竹野 史郎1、赤堀 浩史1、茅根 慎通2、長 康雄2 (1.東芝S&S社, 2.東北大通研)
12:15 〜 12:30
〇金野 晃之1、大久保 忠勝2、富田 充裕1、宝野 和博2 (1.東芝研究開発センター, 2.物質・材料研究機構)
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