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一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.2 カーボン系薄膜

[12p-C1-1~18] 6.2 カーボン系薄膜

2015年3月12日(木) 13:15 〜 19:00 C1 (6C-104)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:15 〜 13:30

[12p-C1-1] ラマン解析より求めたダイヤモンドライクカーボンの形成要素

〇鷹林将¹、楊猛³、高桑雄二³、高萩隆行² (1.東北大・通研, 2.広島大・先端研, 3.東北大・多元研)

13:30 〜 13:45

[12p-C1-2] ダイヤモンドライクカーボン薄膜の耐熱性向上に関する分光学的解析

〇鷹林将¹、高萩隆行² (1.東北大・通研, 2.広島大・先端研)

13:45 〜 14:00

[12p-C1-3] 高周波マグネトロンスパッタリング法により堆積したアモルファス状炭素膜の構造と光学定数

〇荒川悟¹、中谷恭之¹、周小龍¹、トゥンミーサラユット¹、小松啓志¹、大塩茂夫¹、齋藤秀俊¹ (1.長岡技科大)

14:00 〜 14:15

▲ [12p-C1-4] The chemical information evaluation of hydrogenated amorphous carbon films by XPS and NEXAFS at different thicknesses

〇(D)Sarayut Tunmee¹, Ratchadaporn Supruangnet², Hideki Nakajima², Xiaolong Zhou¹, Yasuyuki Nakaya¹, Satoru Arakawa¹, Keiji Komatsu¹, Shigeo Ohshio¹, Kazuhiro Kanda³, Hidetoshi Saitoh¹ (1.Nagaoka Univ. Tech., 2.SLRI, 3.LASTI, Univ. of Hyogo)

14:15 〜 14:30

[12p-C1-5] 熱CVDアモルファスカーボンの低温成膜技術

〇北村昌幸¹、水永覚¹、清水亮¹、柿本明修¹、早川欣延²、濱田康弘³ (1.東京エレクトロン東北, 2.東京エレクトロン宮城, 3.東京エレクトロン)

14:30 〜 14:45

△ [12p-C1-6] フィルタードアーク蒸着においてDCバイアスで成膜したDLC膜の諸特性

〇藤井裕真¹、今井貴大¹、宮本優¹、須田善行¹、滝川浩史¹、田上英人²、神谷雅男³、瀧真⁴、長谷川祐史⁴、辻信広⁴、金子智⁵、安井治之⁶、國次真輔⁷、川口雅弘⁸、三浦健一⁹ (1.豊橋技科大, 2.北九州高専, 3.伊藤光学, 4.オンワード技研, 5.神奈川県産技セ, 6.石川工試, 7.岡山県工技セ, 8.東京都産技研, 9.大阪府産技研)

休憩 (14:45 〜 15:00)

15:00 〜 15:15

▲ [12p-C1-7] Formation of popcorn-like nanostructure in C₆₀-incorporated DLC by exposing to H₂O vapor

〇(DC)Wei Xie¹, Aiko Kawahito¹, Takashi Yanase¹, Taro Nagahama², Toshihiro Shimada² (1.Graduate School of Chemical Sciences and Engineering, Hokkaido University, 2.Hokkaido University)

15:15 〜 15:30

[12p-C1-8] 変調SiO2基板上へのグラフェン成膜と特性評価に関する研究

〇今村友紀¹、伊崎貴生¹、西口博樹¹、松尾経太¹、松川誠也¹、吉岡昌雄²、久保田弘^1,² (1.熊大院自, 2.熊大工)

15:30 〜 15:45

△ [12p-C1-9] ホットメッシュ堆積法によるペンタセン系有機膜の形成

〇(M1)平野竣¹、部家彰¹、松尾直人¹ (1.兵庫県立大院工)

15:45 〜 16:00

[12p-C1-10] 硬質炭素膜のSRV摩擦摩耗試験機を用いたはく離特性評価に及ぼす膜厚の影響

〇大花継頼¹、間野大樹¹、中村挙子¹ (1.産総研)

16:00 〜 16:15

[12p-C1-11] 酸素プラズマ処理によるDLCの表面改質

〇(B)河内佑太¹、大越康晴¹、本間章彦¹、平栗健二¹、荒船龍彦¹、野口展士¹ (1.東京電機大)

16:15 〜 16:30

△ [12p-C1-12] 軟X線照射によるSi含有水素化DLC膜の体積変化

〇田中祥太郎¹、今井亮¹、岡田真¹、松井真二¹、神田一浩¹ (1.兵庫県大高度研)

休憩 (16:30 〜 16:45)

16:45 〜 17:45

[12p-C1-13] [薄膜・表面分科内招待講演] DLC膜の現在と将来展望

〇大竹尚登¹ (1.東工大)

17:45 〜 18:00

[12p-C1-14] N₂とアセトニトリルの混合気体マイクロ波放電フローで生成するa-CN_x:H薄膜の窒素源

〇(M1)茂木紳令¹、津留紘樹¹、伊藤治彦¹ (1.長岡技科大工)

18:00 〜 18:15

△ [12p-C1-15] アモルファス窒化炭素薄膜の柱状構造がガス応答性に及ぼす影響

〇田村尚之¹、青野祐美¹、北沢信章¹、渡邉芳久¹ (1.防大材料)

18:15 〜 18:30

[12p-C1-16] スーパーマグネトロンプラズマによる電界放出用a-CNx:H/Al膜の作製

〇木下治久¹、鈴木昌¹、田口亮平¹、竹内宏樹¹ (1.静大院工)

18:30 〜 18:45

△ [12p-C1-17] グアニジン炭酸塩を用いたグラファイト状窒化炭素薄膜の合成とその基礎的評価

〇藤田詩織¹、羽渕仁恵¹、髙木俊作¹、滝川浩史² (1.岐阜高専, 2.豊橋技科大)

18:45 〜 19:00

▲ [12p-C1-18] Large area synthesis of hexagonal boron nitride (hBN) with controlled thickness and crystal shape

〇(D)Subash Sharma¹, Golap Kalita¹, Masaki Tanemura¹ (1.Nagoya Inst of Tech)

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