[11a-A21-1~11] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [11a-A21-10] Demonstrate of a Low On-resistance 6.5kV PiN Diode Fabricated on a SiC Substrate with p+ epitaxial layer

〇Yuan Bu¹, Norifumi Kameshiro¹, Akio Shima¹, Ren-ichi Yamada¹, Yasuhiro Shimamoto¹ (1.Hitachi Ltd.)

キーワード：PiN diode,SiC