[11a-A21-1~11] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [11a-A21-4] ビスエチルメチルアミノシランを用いた原子層堆積SiO₂保護膜を有するAlGaAs/InGaAs HEMTの特性

〇鈴木 貴之¹、滝川 陽介¹、張 東岩¹、内藤 志麻子¹、岩田 直高¹ (1.豊田工大)

キーワード：HEMT、原子層堆積、保護膜