[11a-A23-1~12] 13.5 デバイス／集積化技術

[11a-A23-10] 高In組成InGaAs量子井戸層の挿入によるプレーナ型InGaAsトンネルFETの性能向上の実証

〇(M2)ジ サンミン^{1, 3}、市川 磨^{2, 3}、長田 剛規^{2, 3}、山田 永^{2, 3}、竹中 充^{1, 3}、高木 信一^{1, 3} (1.東京大工, 2.住友化学, 3.JST CREST)

キーワード：III/V族半導体、トンネルFET