2015年第62回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

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[11a-A23-1~12] 13.5 デバイス／集積化技術

2015年3月11日(水) 09:00 〜 12:15 A23 (6A-216)

11:15 〜 11:30

▼ [11a-A23-9] Effects of strain, interface states and back bias on electrical characteristics of Ge-source UTB strained-SOI tunnel FETs

〇Minsoo Kim1, 2, Yuki K. Wakabayashi1, Ryosho Nakane1, Masafumi Yokoyama1, 2, Mitsuru Takenaka1, 2, Shinichi Takagi1, 2 (1.The Univ. of Tokyo, 2.JST-CREST)

キーワード：Tunnel FET,Strained Si,Ge-source