[11a-A27-1~13] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[11a-A27-12] Si量子ドット多重集積構造の電界電子放出特性評価

〇竹内 大智¹、牧原 克典¹、大田 晃生²、池田 弥央³、宮崎 誠一¹ (1.名大院工, 2.名大VBL, 3.広大院先端研)

キーワード：電子放出