[11a-A27-1~13] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

△ [11a-A27-5] EBSP法を用いた微細な全Ge濃度域における歪SiGeメサ構造に生じる応力緩和分布の評価

〇(D)富田 基裕^{1, 2}、小瀬村 大亮¹、臼田 宏治³、小椋 厚志¹ (1.明大理工, 2.学振特別研究員DC, 3.産総研GNC)

キーワード：半導体、SiGe、EBSP