11:00 〜 11:15
▼ [11a-A27-8] Band Bending Model Reproducing Si(111) Hole Subband Levels Measured by ARPES
キーワード：band bending,subband,Dopant
講演情報
一般セッション(口頭講演)
13 半導体 » 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション
[11a-A27-1~13] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション
2015年3月11日(水) 09:00 〜 12:30 A27 (6A-202)