[11p-A23-1~13] 13.5 デバイス／集積化技術

[11p-A23-1] 数nm-CMOS 素子用二次元Si層の検討 (Ⅹ) 水素アニールによる影響

〇鈴木 佑弥¹、長嶺 由騎¹、青木 孝¹、水野 智久¹、前田 辰郎² (1.神奈川大理, 2.産総研)

キーワード：半導体