[11p-A23-1~13] 13.5 デバイス／集積化技術

[11p-A23-4] ゲート制御性を向上したSi-MOS量子ドットデバイスの作製と評価

〇本田 拓夢¹、小寺 哲夫^{4, 5}、米田 淳³、武田 健太²、樽茶 清悟^{2, 3, 5}、小田 俊理¹ (1.東工大量子ナノ研, 2.東大, 3.理化学研究所, 4.東工大, 5.東大ナノ量子機構)

キーワード：量子ドット、シリコン