[11p-A23-1~13] 13.5 デバイス／集積化技術

[11p-A23-8] 単一Si/SiO₂界面トラップのチャージポンピング(CP)特性：P_b０センターの電気的直接観測と従来CP理論の原理的改善

〇土屋 敏章¹、小野 行徳² (1.島根大総理工, 2.富山大工)

キーワード：MOS界面トラップ、チャージポンピング、Pbセンター