[11p-A25-1~15] 13.9 光物性・発光デバイス

[11p-A25-2] RF-MBE法によるGaAs(100)基板上へのユーロピウム添加立方晶GaN薄膜の作製

〇小山 裕生¹、弓達 新治¹、田所 眞尚¹、竹内 一磨¹、宮田 晃¹、白方 祥¹ (1.愛媛大工)

キーワード：窒化ガリウム、ユーロピウム、プラズマアシスト分子線エピタキシー法