14:00 〜 14:15
▲ [11p-A25-3] Growth and Characterization of GaN/Eu-Doped GaN Nanolayer Structures by Low-Temperature Organometallic Vapor Phase Epitaxy
キーワード:Rare earth,GaN
一般セッション(口頭講演)
13 半導体 » 13.9 光物性・発光デバイス
2015年3月11日(水) 13:30 〜 17:30 A25 (6A-218)
14:00 〜 14:15
キーワード:Rare earth,GaN