[11p-B1-1~20] 15.4 III-V族窒化物結晶

[11p-B1-3] OVPE法を用いたGaNの-c面高温成長

〇谷山 雄紀¹、高津 啓彰¹、重田 真実¹、隅 智亮¹、北本 啓¹、今出 完¹、吉村 政志¹、伊勢村 雅士²、森 勇介¹ (1.阪大, 2.伊藤忠プラスチックス)

キーワード：バルク結晶、基板