[12a-A21-1~13] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[12a-A21-10] GaN系半導体への局所レーザアニールによる注入Siの活性化

〇(M1)永井 昂哉¹、分島 彰男¹、江川 孝志¹、平田 智也²、安藤 聡²、谷 克彦² (1.名工大, 2.ワイエイシイフェトン)

キーワード：GaN、レーザアニール