[12a-A22-1~13] 9.4 熱電変換

△ [12a-A22-4] Si中エピタキシャルGeナノドットを用いた熱抵抗制御

〇(DC)山阪 司祐人¹、中村 芳明^{1, 2}、上田 智広¹、竹内 正太郎¹、酒井 朗¹ (1.阪大院基礎工, 2.さきがけ-JST)

キーワード：ナノドット、エピタキシャル、シリコン、ゲルマニウム