Analytical Model for SiO2-IL Scavenging in HfO2/SiO2/Si Stacks

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.6 Semiconductor English Session

2015年3月12日(木) 09:00 〜 12:15 A23 (6A-216)

11:45 〜 12:00

〇(DC)Xiuyan Li¹, Takeaki Yajima¹, Tomonori Nishimura¹, Akira Toriumi¹ (1.Univ. of Tokyo)

キーワード：SiO2-IL scavenging,HfO2/SiO2/Si stack,Analytical modeling