[12a-P13-1~11] 13.5 デバイス／集積化技術

[12a-P13-4] 極低ドレイン電圧で急峻なサブスレッショルド特性を持つPNボディコンタクト付きSOI MOSFETの測定結果

〇蔵本 陽介¹、森 貴之¹、井田 次郎¹ (1.金沢工業大学)

キーワード：SOI-MOSFET、Steep Slope