[12a-P13-1~11] 13.5 デバイス／集積化技術

[12a-P13-6] スパッタエピタキシー法を用いたSiGe埋め込みチャネル型p-MOSFET

〇櫻澤 健光¹、塚本 貴広¹、広瀬 信光²、笠松 章史²、松井 敏明²、三村 高志²、須田 良幸¹ (1.東京農工大院工, 2.情報通信研究機構)

キーワード：SiGe、スパッタエピタキシー