[12a-P13-1~11] 13.5 デバイス／集積化技術

[12a-P13-7] デプレッション型極薄GeSn-pMOSFETs特性のSn濃度依存性

〇前田 辰郎¹、Wipakorn Jevasuwan¹、服部 浩之¹、内田 紀行¹、三浦 脩²、田中 正俊²、Santos Nuno D. M.³、Vantomme Andre³、Locquet J. -P.³、Lieten R. R.^{3, 4, 5} (1.産総研, 2.横浜国立大学, 3.KU Lueven, 4.IMEC, 5.Entegris)

キーワード：ゲルマニウム、スズ