[12a-P13-1~11] 13.5 デバイス／集積化技術

[12a-P13-8] 再成長ソース/ドレインを有するInGaAsマルチゲートMOSFET作製プロセスに関する研究

〇(M1)木下 治紀¹、金澤 徹¹、祢津 誠晃¹、三嶋 裕一¹、宮本 恭幸¹ (1.東工大院理工)

キーワード：MOSFET、InGaAs、マルチゲートデバイス