[12p-A17-1~19] 3.13 半導体光デバイス

[12p-A17-4] 近赤外広帯域光源を目指したInAs 量子ドットLD の発光特性[2]

〇沢渡 義規¹、吉沢 勝美¹、赤羽 浩一²、山本 直克² (1.ﾊﾟｲｵﾆｱﾏｲｸﾛﾃｸﾉﾛｼﾞｰ㈱, 2.情通機構)

キーワード：量子ドット、インジウム砒素、近赤外光源