[12p-A17-1~19] 3.13 半導体光デバイス

[12p-A17-6] p 変調ドープInAs/InP ダブルキャップ量子ドット構造の電流注入特性

〇(M1)鋤柄 俊樹¹、山元 雄太¹、西山 哲央¹、下村 和彦¹ (1.上智大理工)

キーワード：量子ドット、ダブルキャップ、p変調ドープ