[12p-A17-1~19] 3.13 半導体光デバイス

[12p-A17-7] (775)B InP 基板上にMBE成長したInGaAs層のコラゲーションと光学的特性のIn組成依存性

〇松田 晃賢¹、下村 哲¹、森貞 俊¹ (1.愛媛大院理工)

キーワード：半導体、面発光レーザ、MBE