2015年第62回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.8 結晶評価,不純物・結晶欠陥

[12p-A18-1~18] 15.8 結晶評価,不純物・結晶欠陥

2015年3月12日(木) 14:00 〜 19:00 A18 (6A-208)

17:45 〜 18:00

[12p-A18-14] 炭素クラスターイオン照射によるSiウェーハの近接ゲッタリング(2) -エピタキシャル成長後の水素の熱処理・拡散挙動-

〇奥山 亮輔1、廣瀬 諒1、門野 武1、岩永 卓朗1、古賀 祥泰1、奥田 秀彦1、栗田 一成1 (1.株式会社SUMCO)

キーワード:シリコンウェーハ中の水素拡散挙動、炭素クラスターイオン照射