PDF ダウンロード スケジュール 20 いいね! 0 14:45 〜 15:00 [12p-A21-4] n-GaN MOSキャパシタにおける界面電荷の温度特性 〇高島 信也1、上野 勝典1、江戸 雅晴1、T.Paul Chow2 (1.富士電機, 2.RPI) キーワード:GaN、MOS、界面