[12p-A27-1~15] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[12p-A27-14] SOI-MOSFETにおける重イオン照射誘起寄生バイポーラ効果

〇(M1C)山本 航汰¹、家城 大輔¹、呉 研¹、高橋 芳浩¹ (1.日大理工)

キーワード：寄生バイポーラ効果、シングルイベント効果、SOI-MOSFET