[12p-A27-1~15] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[12p-A27-6] 金属/Ge界面における点欠陥の理論：MIGSの役割に関する第一原理的検討

〇佐々木 奨悟¹、中山 隆史¹ (1.千葉大理)

キーワード：半導体、界面、欠陥