[12p-P16-1~19] 15.4 III-V族窒化物結晶

[12p-P16-7] RF-MBE法を用いてAlONバッファー層上に成長したAlNの転位密度

〇畑 泰希¹、山﨑 隆弘¹、山根 悠介¹、前田 理也¹、熊倉 一英²、山本 秀樹²、牧本 俊樹¹ (1.早大先進理工, 2.NTT物性基礎研)

キーワード：MBE、AlN、AlON