[12p-P8-1~14] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[12p-P8-3] SiGe(111)上へのβ-FeSi₂エピタキシャル成長とひずみの評価

〇塚本 裕明¹、草原 彰吾¹、山口 陽己¹、尾方 済人¹、服部 哲¹、東 貴彦¹、寺井 慶和¹ (1.鹿児島大理工)

キーワード：シリサイド半導体