2015年第62回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.3 絶縁膜技術

[13a-A24-1~13] 13.3 絶縁膜技術

2015年3月13日(金) 09:00 〜 12:30 A24 (6A-217)

09:30 〜 09:45

[13a-A24-3] 低温Kr/O2プラズマ酸化法によるSiO2/Si構造の作製および評価

〇藤川 雄太1、岩崎 好孝1、上野 智雄1 (1.農工大工)

キーワード:プラズマ酸化、Kr