[13a-B4-1~10] 15.6 IV族系化合物

[13a-B4-10] SiO₂/SiC MOS 構造における伝導帯端近傍の界面特性Ⅱ

〇竹内 和歌奈¹、山本 建策²、坂下 満男¹、金村 髙司²、中塚 理¹、財満 鎭明^{1, 3} (1.名大院工, 2.(株)デンソー, 3.名大エコトピア)

キーワード：SiC、MOS構造、界面特性