[13p-A19-1~8] 2.1 放射線物理一般・検出器基礎

[13p-A19-5] 耐放射線性を有するSi-MOSFETの開発

〇中田 智成¹、秋山 周哲¹、渡辺 温¹、相沢 淳²、大塚 正志²、石井 邦尚²、吉沢 勝美²、持木 幸一³ (1.パイオニア（株）, 2.パイオニアマイクロテクノロジー（株）, 3.東京都市大学)

キーワード：MOSFET、放射線