[13p-A23-1~10] 13.5 デバイス／集積化技術

[13p-A23-8] 50 nm Al_xO_y ReRAMアレイの書き換え前後のデータ保持特性

〇山沢 裕紀¹、寧 渉洋^{1, 2}、Iwasaki Tomoko Ogura¹、田中丸 周平¹、上口 光¹、竹内 健¹ (1.中大, 2.東大)

キーワード：抵抗変化型メモリ、データ保持特性